Kajian pembentukan strukturhetero bagi zink oksida/poli (triarilamina) dan aplikasinya ke atas bahan peranti organik/bukan organik

• Auteur principal: Kellie Miandal
• Format: Thèse
• Langue: anglais; anglais
• Publié: 2018
• Sujets: TP200-248 Chemicals: Manufacture, use, etc.
• Accès en ligne: https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/43343/2/24%20PAGES.pdf; https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/43343/1/FULLTEXT.pdf; https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/43343/

Kajian berasaskan bahan organik semakin berkembang dan menjadi pesaing yang aktif kepada semikonduktor jurang jalur untuk beberapa aplikasi elektronik, optoelektronik dan sel solar. Bahan bukan organik dan organik masing-masing mempunyai kelemahan tersendiri yang menyebabkan penyekatan prestasinya sebagai sebuah peranti yang baik. Oleh itu, peranti hibrid telah dibina dengan menggabungkan kedua-dua bahan organik dan bukan organik, yang mana kelebihannya boleh dimanfaatkan secara serentak malahan proses pembuatan lapisan organik lebih mudah, murah dan fleksibel. Dalam kajian ini, simpanghetero filem nips hibrid diod n-ZnO/p-Poly(triarylamine) (PTAA) dimendap ke atas kaca Indium Timah Oksida masing-masing menggunakan teknik salut berputar dan percikan megnetron frekuensi radio (RF). Pada awalnya, kedua-dua bahan ini telah dikaji secara berasingan dengan menggunakan pelbagai parameter untuk melihat ciri-ciri fizikal bahan tersebut serta menentukan parameter optimum bagi kedua kaedah yang digunakan bagi tujuan kajian seterusnya. Paramater yang dikaji bagi bahan PTAA adalah kadar putaran dan suhu penyepuhlindapan. Daripada hasil kajian yang diperolehi didapati bahawa kajian menggunakan 2000 rpm dan 150 oC merupakan parameter yang optimum bagi kadar putaran dan suhu penyepuhlindapan. Lima sampel filem nipis diod simpanghetero, ITO/ZnO/PTAA/Al difabrikasi dan masing-masing diberi suhu penyepuhlindapan 50 oC, 100 oC, 150 oC, 200 oC dan suhu bilik. Didapati faktor suhu penyepuhlindapan menyebabkan perubahan kepada ciri-ciri elektrikal yang dikaji. Semua sampel filem nipis diod simpanghetero ITO/ZnO/PTAA/Al menunjukkan tingkahlaku pelurusan dan arus ke depan maksimum boleh dilihat pada diod yang telah diberi suhu penyepuhlindapan 150 oC selama 10 minit. Manakala, voltan pemula dan faktor ideliti bagi sampel suhu bilik, 50 oC, 100 oC, 150 oC dan 200 oC adalah masing-masing bernilai 1.04 V, 1.01 V, 1 V, 0.95 V dan 1 V dan 15.02, 16.53, 16.78, 14.76 dan 19.27.