Investigation Of Metal-Organic Decomposed (MOD) Cerium Oxide (Ceo2) Gate Deposited On Silicon And Gallium Nitride Substrates Via Spin-On Coating Technique

Metal-organic decomposed (MOD) Ce(h precursor has been spin coated on n-type Si and n-type GaN substrates with thickness in the range of 45-90 nm. Prapenanda Ce02 yang disediakan dengan teknik penguraian organik logam telah diserakkan ke atas wafer Si dan GaN beljenis n dengan ketebalan dalam Iin...

詳細記述

書誌詳細

第一著者:	Quah, Hock Jin
フォーマット:	学位論文
言語:	英語
出版事項:	2010
主題:	TN1-997 Mining engineering. Metallurgy
オンライン･アクセス:	http://eprints.usm.my/28916/