Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
2005
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/29184/ |
| Abstract | Abstract here |
| _version_ | 1855631502945026048 |
|---|---|
| author | Abdul Hamid, Noorhisyam |
| author_facet | Abdul Hamid, Noorhisyam |
| author_sort | Abdul Hamid, Noorhisyam |
| description | Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky
Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers |
| first_indexed | 2025-10-17T08:02:05Z |
| format | Thesis |
| id | usm-29184 |
| institution | Universiti Sains Malaysia |
| language | English |
| last_indexed | 2025-10-17T08:02:05Z |
| publishDate | 2005 |
| record_format | EPrints |
| record_pdf | Restricted |
| spelling | usm-291842017-04-12T03:23:19Z http://eprints.usm.my/29184/ Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza Abdul Hamid, Noorhisyam Q Science (General) Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers 2005-02 Thesis NonPeerReviewed application/pdf en http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza. Masters thesis, USM. |
| spellingShingle | Q Science (General) Abdul Hamid, Noorhisyam Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
| thesis_level | Master |
| title | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
| title_full | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
| title_fullStr | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
| title_full_unstemmed | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
| title_short | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
| title_sort | pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon 111 pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza beza |
| topic | Q Science (General) |
| url | http://eprints.usm.my/29184/ |
| work_keys_str_mv | AT abdulhamidnoorhisyam pembentukandanpenciriankobaltsilisidaataswafersilikon111padasuhusubstratdansepuhlindapyangberbezabeza |