Growth And Characterization Of Gallium Nitride Films On Porous Silicon Substrate

Kajian ini memfokuskan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat silikon (Si) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio (RF sputtering) dan penyejat alur elektron (e-beam evaporator). Untuk perbandingan, lapisan penampan nitrida aluminium nitrida (AlN), lapisan penampan titani...

詳細記述

書誌詳細

第一著者:	Samsudin, Muhammad Esmed Alif
フォーマット:	学位論文
言語:	英語
出版事項:	2016
主題:	QC1 Physics (General)
オンライン･アクセス:	http://eprints.usm.my/31756/