Growth And Characterizations Of Spin Coated Gallium Nitride Thin Films On Siliconsubstrates
Galium nitrida (GaN) dengan jurang jalur langsung 3.4 eV telah menjadi tumpuan penyelidikan bahan. Ini adalah disebabkan oleh ciri-ciri dan kepentingan teknologinya untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti peranti optoelektronik dan peranti elektronik berkuasa tinggi. Pelbagai kaedah tradisio...
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Thèse |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
2016
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://eprints.usm.my/31959/ |