Growth And Characterizations Of Spin Coated Gallium Nitride Thin Films On Siliconsubstrates
Galium nitrida (GaN) dengan jurang jalur langsung 3.4 eV telah menjadi tumpuan penyelidikan bahan. Ini adalah disebabkan oleh ciri-ciri dan kepentingan teknologinya untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti peranti optoelektronik dan peranti elektronik berkuasa tinggi. Pelbagai kaedah tradisio...
| 第一著者: | |
|---|---|
| フォーマット: | 学位論文 |
| 言語: | 英語 |
| 出版事項: |
2016
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://eprints.usm.my/31959/ |