Polycrystalline GaN Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
This thesis describes work on depositing polycrystalline gallium nitride (GaN) on m-plane sapphire substrate using cost effective physical deposition technique; electron beam (e-beam) evaporator and radio frequency (RF) sputtering, followed by annealing treatment in ammonia (NH3) ambient. The work w...
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/42902/ |