Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].

Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects,...

Description complète

Détails bibliographiques
Auteur principal: Abdul Hamid, Noorhisyam
Format: Thèse
Langue:anglais
Publié: 2005
Sujets:
QD146-197 Inorganic chemistry
Accès en ligne:http://eprints.usm.my/6572/
_version_ 1846214852941447168
author Abdul Hamid, Noorhisyam
author_facet Abdul Hamid, Noorhisyam
author_sort Abdul Hamid, Noorhisyam
description Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates.
first_indexed 2025-10-17T07:52:35Z
format Thesis
id usm-6572
institution Universiti Sains Malaysia
language English
last_indexed 2025-10-17T07:52:35Z
publishDate 2005
record_format eprints
spelling usm-65722017-03-22T02:23:55Z http://eprints.usm.my/6572/ Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. Abdul Hamid, Noorhisyam QD146-197 Inorganic chemistry Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates. 2005-11 Thesis NonPeerReviewed application/pdf en http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia.
spellingShingle QD146-197 Inorganic chemistry
Abdul Hamid, Noorhisyam
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_full Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_fullStr Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_full_unstemmed Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_short Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_sort pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon 111 pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza beza qd181 s6 n818 2005 f rb
topic QD146-197 Inorganic chemistry
url http://eprints.usm.my/6572/
work_keys_str_mv AT abdulhamidnoorhisyam pembentukandanpenciriankobaltsilisidaataswafersilikon111padasuhusubstratdansepuhlindapyangberbezabezaqd181s6n8182005frb

Documents similaires