Epitaxial growth of semi-polar (11-22) gallium nitride FOR UV photosensing application / Abdullah Haaziq Ahmad Makinudin
Semi-polar (11-22) gallium nitride (GaN) epilayers have attracted numerous interests in GaN based technology as it possess significant advantages over its polar (c-plane) counterparts such as low to none spontaneous and piezoelectric polarization which is known to impair the device performance. Howe...
| المؤلف الرئيسي: | Abdullah Haaziq , Ahmad Makinudin |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| منشور في: |
2020
|
| الموضوعات: |
مواد مشابهة
Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD / Mohd Afiq Anuar
حسب: Mohd Afiq , Anuar
منشور في: (2020)
حسب: Mohd Afiq , Anuar
منشور في: (2020)
Gallium nitride nanowire by nitridation of electrochemically grown gallium oxide on silicon
حسب: Mohd. Ghazali, Norizzawati
منشور في: (2015)
حسب: Mohd. Ghazali, Norizzawati
منشور في: (2015)
Effect of gas flow rate and deposition pressure toward the crystallographic and surface morphology of semi-polar (112̅2) gallium nitride grown by MOCVD / Ooi Chong Seng
حسب: Ooi , Chong Seng
منشور في: (2022)
حسب: Ooi , Chong Seng
منشور في: (2022)
Crystal quality enhancement of semi-polar (11 22) InGaN/GaN-based LED grown on M-Plane sapphire substrate via MOCVD / Omar Ayad Fadhil
حسب: Omar Ayad , Fadhil
منشور في: (2019)
حسب: Omar Ayad , Fadhil
منشور في: (2019)
Indium Gallium Nitride Based Light Emitting Diode Using Pre-Roughened Backside (N-Face) Gallium Nitride Substrate
حسب: Alias, Ezzah Azimah
منشور في: (2024)
حسب: Alias, Ezzah Azimah
منشور في: (2024)
Study of III-nitrides heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE)
حسب: Chin, Che Woei
منشور في: (2009)
حسب: Chin, Che Woei
منشور في: (2009)
The effects of annealing on microstructural changes for aluminium nitride epitaxial grown on sapphire by transmission electron microscopy
حسب: Kaur, Jesbains
منشور في: (2017)
حسب: Kaur, Jesbains
منشور في: (2017)
Ohmic contact formation of gallium nitride and electrical properties improvement
حسب: Aiman, Mohd Halil
منشور في: (2016)
حسب: Aiman, Mohd Halil
منشور في: (2016)
Growth And Characterization Of Gallium Nitride Films On Porous Silicon Substrate
حسب: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
منشور في: (2016)
حسب: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
منشور في: (2016)
Fabrication Of Gallium Nitride Nanowires Via Chemical Vapour Deposition
حسب: Low, Li Li
منشور في: (2012)
حسب: Low, Li Li
منشور في: (2012)
Growth And Characterizations Of Spin Coated Gallium Nitride Thin Films On Siliconsubstrates
حسب: Fong, Chee Yong
منشور في: (2016)
حسب: Fong, Chee Yong
منشور في: (2016)
Gallium Nitride (Gan) Based Gas Sensor
Using Catalytic Metal
حسب: Hudeish, Abdo Yahya Omer
منشور في: (2005)
حسب: Hudeish, Abdo Yahya Omer
منشور في: (2005)
Epitaxial Growth Of Iii-V Nitrides Based Light Emitting Diodes By Metal Organic Chemical Vapor Deposition
حسب: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
منشور في: (2023)
حسب: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
منشور في: (2023)
Synthesis Of Gallium Nitride (GaN) Nanostructures By Electrochemical Techniques For Sensing Applications
حسب: Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef
منشور في: (2011)
حسب: Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef
منشور في: (2011)
Morphological And Optical
Properties Of Porous Gallium Nitride
(Gan) Fabricated By
Photoelectrochemical Process
حسب: Cheah , Sook Fong
منشور في: (2015)
حسب: Cheah , Sook Fong
منشور في: (2015)
SLC22A1, SLC22A2, SLC22A3 and 11ßHSD1 gene polymorphisms among Malaysian Indians with type 2 diabetes mellitus
حسب: Abood, Al Ashoor Sabah Ghasan
منشور في: (2019)
حسب: Abood, Al Ashoor Sabah Ghasan
منشور في: (2019)
Effects Of Growth Parameters On The Synthesis And Characteristics Of Apcvd Grown Graphene For Photosensing Applications
حسب: Abdalrheem, Raed Abdelmajeed Mohammad
منشور في: (2020)
حسب: Abdalrheem, Raed Abdelmajeed Mohammad
منشور في: (2020)
Design And Experimental Studies
Of Multilayer Coating For
Applications In Gallium
Nitride Light Emitting
Devices
حسب: Ahmed, Naser Mahmoud
منشور في: (2006)
حسب: Ahmed, Naser Mahmoud
منشور في: (2006)
Design of silicon nitride metal-insulator-metal capacitor using 0.15 um gallium arsenide technology
حسب: Sanusi, Rasidah
منشور في: (2010)
حسب: Sanusi, Rasidah
منشور في: (2010)
High quality single-crystalline aluminum nitride grown using pulsed atomic-layer Epitaxy technique by MOCVD on sapphire substrate / Mohd Nazri Abd Rahman
حسب: Mohd Nazri , Abd Rahman
منشور في: (2021)
حسب: Mohd Nazri , Abd Rahman
منشور في: (2021)
Semi-quantitative assessment of myocardial perfusion abnormality on different reconstructed spect polar MAPS
حسب: Zahir, Nur Syazana Mohd
منشور في: (2020)
حسب: Zahir, Nur Syazana Mohd
منشور في: (2020)
Effect of oxidation towards interfacial layer of indium tin-oxide nanostructure and p-type gallium nitride / Norhilmi Mohd Zahir
حسب: Norhilmi , Mohd Zahir
منشور في: (2023)
حسب: Norhilmi , Mohd Zahir
منشور في: (2023)
Landau theory of free standing and epitaxial ferroelectric film
حسب: Musleh, Ahmad M. A.
منشور في: (2009)
حسب: Musleh, Ahmad M. A.
منشور في: (2009)
In-depth study of semipolar (11-22) InGaN/GaN-based led towards efficient green emission / Gary Tan
حسب: Tan, Gary
منشور في: (2024)
حسب: Tan, Gary
منشور في: (2024)
Growth And Physical Characterization Of Native Oxide Thin Film On N-Type Gallium Nitride Substrate By Ti-Iermal Oxidation In Nitrous Oxide Ambient
حسب: Oon, Hooi Shy
منشور في: (2013)
حسب: Oon, Hooi Shy
منشور في: (2013)
Investigation Of Metal-Organic Decomposed (MOD) Cerium Oxide (Ceo2) Gate Deposited On Silicon And Gallium Nitride Substrates Via Spin-On Coating Technique
حسب: Quah, Hock Jin
منشور في: (2010)
حسب: Quah, Hock Jin
منشور في: (2010)
Isolation of potential dehalogenase marine bacteria that can degrade 2.2-Dichloropropionate (2.2DCP)
حسب: Malaih, Mona Kiminezhad
منشور في: (2013)
حسب: Malaih, Mona Kiminezhad
منشور في: (2013)
The validation of the malay version sino-nasal outcome test 22 (snot-22) in chronic rhinosinusitis patients
حسب: Zulkifli, Shifa Zulkifli
منشور في: (2013)
حسب: Zulkifli, Shifa Zulkifli
منشور في: (2013)
Gallium Nitride (GaN) Based Gas Sensor Using Catalytic Metal [TK7871.15.G33 H884 2005 f rb].
حسب: Omer Hudeish, Abdo Yahya
منشور في: (2005)
حسب: Omer Hudeish, Abdo Yahya
منشور في: (2005)
A high efficiency and low noise magnetron cathode using gallium nitride and silicon carbide polymers for modulated microwave power transmission / Leong Wen Chek
حسب: Leong , Wen Chek
منشور في: (2022)
حسب: Leong , Wen Chek
منشور في: (2022)
Design And Experimental Studies Of Multilayer Coatings For Applications In Gallium Nitride Light Emitting Devices
[TK7871.89.L53 N247 2006 f rb].
حسب: Ahmed, Naser Mahmoud
منشور في: (2006)
حسب: Ahmed, Naser Mahmoud
منشور في: (2006)
Simulation Studies Of Efficiency
Enhancement Of Epitaxial Thin Film
Silicon Solar Cell By Plasmonic
Nanostructures
حسب: Lim , Shyue Piin
منشور في: (2015)
حسب: Lim , Shyue Piin
منشور في: (2015)
Growth parameters of indium arsenide quantum dots using metal organic vapour phase epitaxy
حسب: Lim, Kheng Boo
منشور في: (2008)
حسب: Lim, Kheng Boo
منشور في: (2008)
Epitaxial Growth Of Gan On Gan Multi Quantum Well For The Deep Green Light Emitting Diode
حسب: Abdul Rais, Shamsul Amir
منشور في: (2022)
حسب: Abdul Rais, Shamsul Amir
منشور في: (2022)
Growth of non-polar (11-20) a-plane GaN based leds grown on (1-120) r-plane sapphire substrate via MOCVD / Anas Kamarundzaman
حسب: Anas , Kamarundzaman
منشور في: (2022)
حسب: Anas , Kamarundzaman
منشور في: (2022)
Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters
حسب: Musa, Nor Muniroh
منشور في: (2009)
حسب: Musa, Nor Muniroh
منشور في: (2009)
Wavelength and polarization insensitive coupler
حسب: Mohd. Noor, Muhammad Yusof
منشور في: (2007)
حسب: Mohd. Noor, Muhammad Yusof
منشور في: (2007)
Circular polarized textile antenna
حسب: Musa, Umar
منشور في: (2015)
حسب: Musa, Umar
منشور في: (2015)
Performance Of Zinc Oxidepolyaniline Heterojunction For Uv Photodetection
حسب: Adnan Talib, Rawnaq
منشور في: (2016)
حسب: Adnan Talib, Rawnaq
منشور في: (2016)
Biotransformasi Asid Lemak oleh Pseudomonas Sp. Strain SS22
حسب: Shafiei, Zaleha
منشور في: (2002)
حسب: Shafiei, Zaleha
منشور في: (2002)
مواد مشابهة
-
Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD / Mohd Afiq Anuar
حسب: Mohd Afiq , Anuar
منشور في: (2020) -
Gallium nitride nanowire by nitridation of electrochemically grown gallium oxide on silicon
حسب: Mohd. Ghazali, Norizzawati
منشور في: (2015) -
Effect of gas flow rate and deposition pressure toward the crystallographic and surface morphology of semi-polar (112̅2) gallium nitride grown by MOCVD / Ooi Chong Seng
حسب: Ooi , Chong Seng
منشور في: (2022) -
Crystal quality enhancement of semi-polar (11 22) InGaN/GaN-based LED grown on M-Plane sapphire substrate via MOCVD / Omar Ayad Fadhil
حسب: Omar Ayad , Fadhil
منشور في: (2019) -
Indium Gallium Nitride Based Light Emitting Diode Using Pre-Roughened Backside (N-Face) Gallium Nitride Substrate
حسب: Alias, Ezzah Azimah
منشور في: (2024)