Investigation Of Metal-Organic Decomposed (MOD) Cerium Oxide (Ceo2) Gate Deposited On Silicon And Gallium Nitride Substrates Via Spin-On Coating Technique
Metal-organic decomposed (MOD) Ce(h precursor has been spin coated on n-type Si and n-type GaN substrates with thickness in the range of 45-90 nm. Prapenanda Ce02 yang disediakan dengan teknik penguraian organik logam telah diserakkan ke atas wafer Si dan GaN beljenis n dengan ketebalan dalam Iin...
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
2010
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/28916/ |