Carbon Doped Silicon Dioxide Low K Dielectric Material.[QC585.75.S55 L732 2004 f rb][Microfiche 7649]
Objektif kajian ini adalah untuk mengkaji keberkesanan mendopkan sebatian karbon keatas SiO2 untuk menghasilkan bahan dielektrik k rendah. The semiconductor industry is entering a new millennium where scientists and engineers are continuing to search for the ideal dielectric material for future c...
| 第一著者: | |
|---|---|
| フォーマット: | 学位論文 |
| 言語: | 英語 |
| 出版事項: |
2004
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://eprints.usm.my/3087/ |