Carbon Doped Silicon Dioxide Low K Dielectric Material.[QC585.75.S55 L732 2004 f rb][Microfiche 7649]
Objektif kajian ini adalah untuk mengkaji keberkesanan mendopkan sebatian karbon keatas SiO2 untuk menghasilkan bahan dielektrik k rendah. The semiconductor industry is entering a new millennium where scientists and engineers are continuing to search for the ideal dielectric material for future c...
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Thèse |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
2004
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://eprints.usm.my/3087/ |