Rf-Mbe Growth Of Iii-Nitrides Heterostructures For Light Detecting Applications
Dalam penyelidikan ini, GaN p-n struktur homo, AlN/GaN struktur hetero, dan AlxGa1-xN/GaN struktur hetero telah berjaya ditumbuhkan di atas substrat silikon (Si) (111) menerusi epitaksi alur molekul plasma terbantu (MBE) untuk aplikasi pengesan foto. Galium (7N) dan aluminium (6N5) dengan ketulen...
| 第一著者: | |
|---|---|
| フォーマット: | 学位論文 |
| 言語: | 英語 |
| 出版事項: |
2016
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://eprints.usm.my/31760/ |