Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron

Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi P...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Sulong, Muhammad Suhaimi
التنسيق: أطروحة
اللغة:الإنجليزية
منشور في: 2005
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.uthm.edu.my/7967/
Abstract Abstract here