Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron

Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi P...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Sulong, Muhammad Suhaimi
Format: Thesis
Language:English
Published: 2005
Subjects:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
TK7800-8360 Electronics
Online Access:http://eprints.uthm.edu.my/7967/
Abstract Abstract here
_version_ 1855520750263336960
author Sulong, Muhammad Suhaimi
author_facet Sulong, Muhammad Suhaimi
author_sort Sulong, Muhammad Suhaimi
description Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pcngcsan Ekktron (SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX). Kcputusan bagi kajian tcrscbut menunjukkan operasi bagi transistor nMOS Icbih k.llrang dua kali ganda kc1ajuannya berbanding transistor pMOS dengan nilai purata voltan ambang (Vr) sebanyak 0.36V berbanding 0.66V bagi transistor pMOS. Sehubungan dengan itu, daripada kcratan rentas yang dihasilkan oleh FIB, panjang get (Le) bagi transistor nMOS dan pMOS masing-masing ialah 0.124 mikron dan 0.135 mikron. Bahan-bahan bagi pcranti tersebut terdiri daripada bahan silikon (Si) bagi bahagian substrat, bahan polisilikon (Si) bagi transistor get, bahan tungsten (W) bagi bahagian sentuhan, bahan aluminium (AI) bagi bahagian sambungan logaml, logam2 dan logam 3 scrta bahan silikon oksida (Si02) bagi bahagian medan oksida teba!. Scbagai kesimpulan, pcranti ini tclah difabrikasi dengan sempuma dan ia sepatutnya mampu berfungsi dcngan baik.
format Thesis
id uthm-7967
institution Universiti Tun Hussein Onn Malaysia
language English
publishDate 2005
record_format EPrints
record_pdf Restricted
spelling uthm-79672022-11-02T06:50:53Z http://eprints.uthm.edu.my/7967/ Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron Sulong, Muhammad Suhaimi TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pcngcsan Ekktron (SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX). Kcputusan bagi kajian tcrscbut menunjukkan operasi bagi transistor nMOS Icbih k.llrang dua kali ganda kc1ajuannya berbanding transistor pMOS dengan nilai purata voltan ambang (Vr) sebanyak 0.36V berbanding 0.66V bagi transistor pMOS. Sehubungan dengan itu, daripada kcratan rentas yang dihasilkan oleh FIB, panjang get (Le) bagi transistor nMOS dan pMOS masing-masing ialah 0.124 mikron dan 0.135 mikron. Bahan-bahan bagi pcranti tersebut terdiri daripada bahan silikon (Si) bagi bahagian substrat, bahan polisilikon (Si) bagi transistor get, bahan tungsten (W) bagi bahagian sentuhan, bahan aluminium (AI) bagi bahagian sambungan logaml, logam2 dan logam 3 scrta bahan silikon oksida (Si02) bagi bahagian medan oksida teba!. Scbagai kesimpulan, pcranti ini tclah difabrikasi dengan sempuma dan ia sepatutnya mampu berfungsi dcngan baik. 2005-06 Thesis NonPeerReviewed text en http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf Sulong, Muhammad Suhaimi (2005) Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron. Masters thesis, Universiti Kebangsaan Malaysia.
spellingShingle TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
TK7800-8360 Electronics
Sulong, Muhammad Suhaimi
Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
thesis_level Master
title Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_full Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_fullStr Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_full_unstemmed Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_short Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_sort pencirian elektrik dan bahan bagi peranti cmos 0 15 mikron
topic TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
TK7800-8360 Electronics
url http://eprints.uthm.edu.my/7967/
work_keys_str_mv AT sulongmuhammadsuhaimi pencirianelektrikdanbahanbagiperanticmos015mikron

Similar Items