Explicit charge-based model for strained-silicon gate-all-around mosfet including quantum and short channel effects

Also available in printed version

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Fatimah Khairiah Abd. Hamid
مؤلفون آخرون:	Razali Ismail, supervisor
التنسيق:	Doctoral thesis
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	Universiti Teknologi Malaysia 2025
الموضوعات:	Electrical engineering
الوصول للمادة أونلاين:	https://utmik.utm.my/handle/123456789/42758
Abstract	Abstract here

الانترنت