Parameter variations of 20NM GAAS junctionless-gate-all-around field-effect transistor with quantum mechanical effects

Also available in printed version

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Muhammad Faidzal Mohamad Rasol
مؤلفون آخرون:	Zaharah Johari, supervisor
التنسيق:	Master's thesis
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	Universiti Teknologi Malaysia 2025
الموضوعات:	Electrical engineering
الوصول للمادة أونلاين:	https://utmik.utm.my/handle/123456789/42810
Abstract	Abstract here

الانترنت